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Issue A.4 07/06
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Slotted Optical Switch
OPB200
Electrical Characteristics (T
A
= 25癈 unless otherwise noted)
SYMBOL
PARAMETER
MIN TYP MAX UNITS
TEST CONDITIONS
Input Diode (see OP140 for additional information)
V
F
Forward Voltage
- - 1.7 V I
F
= 20 mA
I
R
Reverse Current
- - 100 礎 V
R
= 2 V
Output Phototransistor (see OP550 for additional information)
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage 30 - - V I
C
= 1 mA
V
(BR)ECO
Emitter-Collector Breakdown Voltage 5 - - V I
E
= 100 礎
I
CEO
Collector Dark Current
- - 100 nA V
CE
= 10 V, I
F
= 0, E
E
= 0
Combined
V
CE(SAT)
Collector-Emitter Saturation Voltage - - 0.4 V I
C
= 100 礎, I
F
= 20 mA
I
C(ON)
On-State Collector Current
1 4 6 mA V
CE
= 0.4 V, I
F
= 20 mA
Notes:
(1) RMA flux is recommended. Duration can be extended to 10 seconds maximum when flow soldering.
(2) Derate linearly 1.67 mW/癈 above 25 ?C.
(3) All parameters tested using pulse techniques.
(4) Lead spacing of 0.400 (10.16 mm). Leads are a minimum of 0.020 sq. (0.508 mm) and 0.425 (10.795 mm) long.
(5) Methanol or isopropanol are recommended as cleaning agents. Plastic housing is soluble in chlorinated hydrocarbons and
ketones.
(6) Polarity is denoted by a notch next to pin 1 (LED Anode) of the package.
Absolute Maximum Ratings (T
A
=25癈 unless otherwise noted)
Storage & Operating Temperature Range
-40癈 to +85癈
Lead Soldering Temperature [1/16 inch (1.6mm) from the case for 5 sec. with soldering iron]
(1)
260癈
Input Diode
Forward DC Current
50 mA
Peak Forward Current (1 祍 pulse width, 300 pps)
3 A
Reverse DC Voltage
2 V
Power Dissipation
(2)
100 mW
Collector-Emitter Voltage
30 V
Emitter-Collector Voltage
5 V
Output Phototransistor
Collector DC Current
30 mA
Power Dissipation
(2)
100 mW
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